# 基本元器件选型

# 电阻

# 不同封装的参数

英制 公制 长 (mm) 宽 (mm) 高 (mm) 额定功率 (W) 耐压 (V)
0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.05 0.23±0.05 1/20 25
0402 1005 1.00±0.10 0.50±0.10 0.30±0.10 1/16 50
0603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.10 1/10 50
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.10 1/8 150
1206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.10 1/4 200
1210 3225 3.20±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 1/3 200
1812 4832 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 1/2 200
2010 5025 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 3/4 200
2512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 1 200

# 标准电阻取值

# 电容

铝电解电容 钽电容 陶瓷电容
电容量 0.1uF-3F 0.1uF-1000uF 0.5pF-100uF
极性
耐压 5V-500V 2V-50V 2V-1000V
ESR 几十毫欧 -2.5 欧姆 (100KHZ/25°C) 几十毫欧-几百毫欧(100KHZ/25°C) 几毫欧-几百毫欧(100KHZ/25°C)
ESL 不超过 100nH 2nH 左右 1-2nH
工作频率范围 低频滤波,小于 600KHz 中低频滤波,几百 KHZ-几 MHz 高频滤波,几 MHZ-几 GHz
薄弱点 窄温度范围,电解液会挥发,纹波电流导致发热 必须降额使用,否则失效时火花四溅 焊接温度冲击容易导致失效,抗弯曲能力较差,不同材料温度特性差异巨大
建议 用于储能,低于 75°C 环境,不建议用于高频开关电源 耐压按2倍选择;15V 以上直流电压滤波不建议使用,特别是电源变化较快的场合,浪涌冲击失效显著 布线不要放在应力区,避开高温区域。

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# MOS

  • S(Source)- 源极
  • G(Gate)- 门极 / 栅极
  • D(Drain)- 漏极
  • 箭头指向门极为 N 沟道 MOS, 背向为 P 沟道
  • 寄生二极管方向:电流方向与箭头沿线拐弯后的一致

关键参数:

  1. 击穿电压 V_BRDSS
    • 随温度变化,应留足余量
  2. 导通电阻 R_DS(on)
    • 导通电阻正温度系数,适合并联工作
    • 导通电阻越小,导通损耗越小
    • 导通电阻越小,Qg 就越大,相应的开关速度变慢
    • 带来的开关损耗越大,高频工作下需要折中考虑
  3. 最大结温
    • 永远不能超过最大结温
    • 只能测量壳温后通过热阻计算而得
  4. 动态电容和 Qg
    • 不是固定值,取决于工作条件
    • 作为开关时希望快速打开,需要一个驱动芯片提供瞬间大电流
    • 作为缓启动 MOS,需要慢慢打开,有效抑制浪涌电流

# NMOS

  • 门极需要一个比源极更高的电压驱动
  • 更好的性能
  • 更多的选择
  • 更低的成本

# PMOS

  • 门极需要一个比源极低的电压驱动
  • 不需要更高的电压驱动,驱动简单

# 二极管

类型:

  • 整流管
    • 普通二极管:恢复速度相对慢,不适用于高频电路
    • 超快恢复二极管
    • 肖特基二极管:应用于 <200V 的场景
  • 稳压管:持续击穿,应用于低功率场景
  • TVS:瞬间击穿,应用于高功率场景

# 电感

关键参数:

  • 电感量
    • 小电感量:低 DCR,高饱和电流,更好的动态,更大的纹波电流
    • 大电感量:小纹波电流
  • 额定电流
  • 饱和电流
  • DCR

# 参考与致谢

文章作者:Power Lin
原文地址:https://wiki-power.com
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