防反接电路的设计
防反接电路在电路设计中还是挺重要的，因为你永远不知道你的用户会有用什么样的骚操作，把电源接反导致炸板。
一个好的防反接电路，以增加了一点点元器件的代价，换来对用户 / 产品的安全负责。
二极管防反接电路
如图，在电源正 / 负极的路上，增加二极管（单向导通性），实现防反接。此电路简单，成本最低。缺点是压降大（0.6V 左右）；电流越大，发热越严重；反向电压过大时，会有漏电流，应留足余量。可以选用成本相对高但较低压降的肖特基二极管。
;## P-MOS 管防反接电路
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;以上图为例。刚上电时，MOS 管的寄生二极管导通，S 级电压为 VCC-0.6V，G 级为 0V，P-MOS 导通；当电源反接时，G 级为高电平，不导通，保护后级。
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;实际应用中，可以在 P-MOS 栅极与源级之间再加一个电阻。这种办法也有 P-MOS 跟 N-MOS 之分，都是利用 MOS 管的寄生二极管以及其导通性，不过 N-MOS 的导通电阻比 P-MOS 小，因此会降低一点点功耗。电源反接后，MOS 管就是断路，可以很好的保护后级电路。这种方法应用比较广泛，推荐实际中使用 N-MOS.
MOSFET 防反接
MOSFET 拥有较低的导通电阻（\(R_{DS(on)}\)），用作防反接保护电路，只有很小的功率损耗。因为 N-MOS 是 G 极高电平导通，P-MOS 是 G 极低电平导通，所以 N-MOS 一般用于低端侧防反接，P-MOS 则用于高端侧：
正确接入电源时，MOS 管导通，后续电路能正常接受供电；反接时，MOS 管截止，断开以保护后续电路。
MOSFET 防反接的损耗为 \(R_{DS(on) * I_{load}}\)。挑选 MOSFET 的指标是 \(R_{DS(on)}\) 尽可能小，\(U_GS{th}\) 在电源电压以下。相比而已，N-MOS 比 P-MOS 导通电阻小，而且选型更加丰富。
整流桥防反接电路
桥式整流电路有两个二极管产生压降，功耗与发热都比较大，如果不是一些特殊场合，一般不推荐使用。
保险丝 + 稳压二极管
此电路设计非常巧妙，既可以防反接，又可以防过压。其原理是：
当电源 Vin 接反时，稳压二极管 D1 正向导通，负载的负压为二极管的导通电压 Vf，而 Vf 一般比较低，不会烧坏后级负载电路。同时，电压主要落在 F1 上，因此开始时电流会迅速上升，直至超过 F1 的熔断电流后，保险丝 熔断，电源断开，这样也不会因为电流过大，而烧坏 D1.
当正接但电压过高时（例如大于稳压管的 5.6V），因为稳压管 D1 存在，所以负载端获得电源约为 5.6V。而 F1 上就会有比较大的电压（Vin-5.6V），电流上升直至熔断，保护了后端电路。此为防过压保护。
这个电路要注意的几个点：
- 保险丝的选型。熔断电流要大于后级负载正常的工作电流（电路正常使用时不能熔断）
- 稳压二极管的选型。稳压值要大于正常 Vin 的电源输入（正常电源输入时不能击穿稳压），但是要小于后级能允许的最大输入电压（稳压值不能烧坏后级电路）
- 满足
稳压二极管的最大允许电流 + 上电时负载电流 > 保险丝的击穿电流这个条件。在电源过压输入时、保险丝被击穿之前，稳压管才不会因通过的电流过大而烧坏 - 反接电路时产生的负压 Vf 一般小于 1.5V。后端电路应能承受 1.5V 的负压，不会被烧坏
- 此电路尽量用于功率小于 500mW 的电路中
参考与致谢
原文地址：https://wiki-power.com/
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