基本元器件选型

电阻#

不同封装的参数#

英制公制长 (mm)宽 (mm)高 (mm)额定功率 (W)耐压 (V)
020106030.60±0.050.30±0.050.23±0.051/2025
040210051.00±0.100.50±0.100.30±0.101/1650
060316081.60±0.150.80±0.150.40±0.101/1050
080520122.00±0.201.25±0.150.50±0.101/8150
120632163.20±0.201.60±0.150.55±0.101/4200
121032253.20±0.202.50±0.200.55±0.101/3200
181248324.50±0.203.20±0.200.55±0.101/2200
201050255.00±0.202.50±0.200.55±0.103/4200
251264326.40±0.203.20±0.200.55±0.101200

标准电阻取值#

电容#

铝电解电容钽电容陶瓷电容
电容量0.1uF-3F0.1uF-1000uF0.5pF-100uF
极性
耐压5V-500V2V-50V2V-1000V
ESR几十毫欧 -2.5 欧姆 (100KHZ/25°C)几十毫欧-几百毫欧(100KHZ/25°C)几毫欧-几百毫欧(100KHZ/25°C)
ESL不超过 100nH2nH 左右1-2nH
工作频率范围低频滤波,小于 600KHz中低频滤波,几百 KHZ-几 MHz高频滤波,几 MHZ-几 GHz
薄弱点窄温度范围,电解液会挥发,纹波电流导致发热必须降额使用,否则失效时火花四溅焊接温度冲击容易导致失效,抗弯曲能力较差,不同材料温度特性差异巨大
建议用于储能,低于 75°C 环境,不建议用于高频开关电源耐压按2倍选择;15V 以上直流电压滤波不建议使用,特别是电源变化较快的场合,浪涌冲击失效显著布线不要放在应力区,避开高温区域。

去耦 / 旁路电容的选择及布局:360° 详解去耦电容,真正的理解及在真正工程中的使用!

MOS#

  • S(Source)- 源极
  • G(Gate)- 门极 / 栅极
  • D(Drain)- 漏极
  • 箭头指向门极为 N 沟道 MOS, 背向为 P 沟道
  • 寄生二极管方向:电流方向与箭头沿线拐弯后的一致

关键参数:

  1. 击穿电压 V_BRDSS
    • 随温度变化,应留足余量
  2. 导通电阻 R_DS(on)
    • 导通电阻正温度系数,适合并联工作
    • 导通电阻越小,导通损耗越小
    • 导通电阻越小,Qg 就越大,相应的开关速度变慢
    • 带来的开关损耗越大,高频工作下需要折中考虑
  3. 最大结温
    • 永远不能超过最大结温
    • 只能测量壳温后通过热阻计算而得
  4. 动态电容和 Qg
    • 不是固定值,取决于工作条件
    • 作为开关时希望快速打开,需要一个驱动芯片提供瞬间大电流
    • 作为缓启动 MOS,需要慢慢打开,有效抑制浪涌电流

NMOS#

  • 门极需要一个比源极更高的电压驱动
  • 更好的性能
  • 更多的选择
  • 更低的成本

PMOS#

  • 门极需要一个比源极低的电压驱动
  • 不需要更高的电压驱动,驱动简单

二极管#

类型:

  • 整流管
    • 普通二极管:恢复速度相对慢,不适用于高频电路
    • 超快恢复二极管
    • 肖特基二极管:应用于 <200V 的场景
  • 稳压管:持续击穿,应用于低功率场景
  • TVS:瞬间击穿,应用于高功率场景

电感#

关键参数:

  • 电感量
    • 小电感量:低 DCR,高饱和电流,更好的动态,更大的纹波电流
    • 大电感量:小纹波电流
  • 额定电流
  • 饱和电流
  • DCR

参考与致谢#



文章作者:Power Lin
原文地址:https://wiki-power.com
版权声明:文章采用 CC BY-NC-SA 4.0 协议,转载请注明出处。

Last updated on